IXKC19N60C5【PDF 3/4 页】MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

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ISOPLUS220 TM Outline

Advanced Technical Information

IXKC 19N60C5

E

A

SYM

A

A2

b

b2

b4

c

D

D1

INCHES

MIN

.157

.098

.035

.049

.093

.028

.591

.472

MAX

.197

.118

.051

.065

.100

.039

.630

.512

MILLIMETERS

MIN MAX

5.00

4.00

3.00

2.50

0.90

1.30

1.25

1.65

2.55

2.35

1.00

0.70

16.00

15.00

13.00

12.00

* Note 1

E

E1

.394

.295

.433

.335

10.00

7.50

11.00

8.50

e

.100 BASIC

2.55 BASIC

L

.512

.571

13.00

14.50

2X b4

L1

T

.118

.138

3.00

42.5

3.50

47.5

NOTE:

1. Bottom heatsink is electrically isolated from Pin 1, 2, or 3.

2. This drawing will meet dimensional requirement of JEDEC SS

Product Outline TO-273 except D and D1 dimension.

1

2

3

2X e

3X b

c

A2

2X b2

140

120

50

120

105

T J = 25°C

V GS =

10 V

8V

T J = 125°C

V GS = 20 V

10 V 8 V

7V

100

90

20 V

40

6V

80

75

7V

30

5.5 V

60

5V

60

40

45

30

6V

5.5 V

20

4.5 V

10

5V

20

15

4.5 V

0

0

0

0

40

80

120

160

0

5

10

15

20

0

5

10

15

20

T C [°C]

V

DS

[V]

V DS [V]

Fig. 1 Power dissipation

Fig. 2 Typ. output characteristics

Fig. 3 Typ. output characteristics

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

? 2009 IXYS All rights reserved

20090209b

3-4

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IXKC23N60C5 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXKC25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXKC40N60C 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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